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功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3

制造商:texas instruments

系列:NexFET??

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET (Metal Oxide)

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 90A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):57nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5060pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):*

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3

标准包装:1

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